[发明专利]一种高纯氧化铝陶瓷基板及其制备工艺在审
| 申请号： | 202110553843.4 | 申请日： | 2021-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN113213894A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 吴崇隽;段明新;丁志静;孔丽萍;牛晓阳;张晓娜 | 申请（专利权）人： | 郑州中瓷科技有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/10 | 分类号： | C04B35/10;C04B35/622;C04B35/63;C04B35/64 |
| 代理公司： | 北京鑫浩联德专利代理事务所(普通合伙) 11380 | 代理人： | 李荷香 |
| 地址： | 450000 河南*** | 国省代码： | 河南;41 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种高纯氧化铝陶瓷基板及其制备工艺，所述陶瓷基板采用经特别提纯的超细α‑氧化铝粉为主相材料，镁铝尖晶石粉体为助熔剂，氧化镧及氧化钇为添加剂；氧化铝粉的要求：Al2O3的纯度≥99.9%，SiO2的含量＜0.05%，Fe2O3的含量＜0.02%，Na2O的含量＜0.02%；ɑ‑Al2O3的转化率≥96%；电导率＜100µs/cm。2.本发明之高纯氧化铝陶瓷基板制备工艺所制备的陶瓷基板，体积密度≥3.92g/cm3，体积电阻率≧10145Ω·cm，热导率＞2930W/（m·K），介电常数9~10（1MHz，25℃），抗弯强度≥450MPa。所述制备工艺采用流延成型工艺和常压烧结方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高纯 氧化铝陶瓷 及其 制备 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
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