[发明专利]CIS芯片深阱设计方法与制作工艺方法在审
| 申请号： | 202110554280.0 | 申请日： | 2021-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN113270436A | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 伍建华;旷章曲;陈多金;王菁;龚雨琛;张帅;徐冰;刘志碧;陈杰 | 申请（专利权）人： | 上海韦尔半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/033;G03F1/00 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人： | 郑立明;韩珂 |
| 地址： | 201210 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种CIS芯片深阱设计方法与制作工艺方法，将原来pitch大小为A的DPW设为光罩DPW1，将光罩DPW1图案沿X方向和Y方向各移动A/2得到图案设为光罩DPW2,然后两块光罩图形重叠即得到pitch为A/2的图案；在制作工艺中，在一次曝光过程中先用光罩DPW1进行曝光，然后用光罩DPW2进行曝光，再进行烘烤和显影处理，最终得到pitch为A/2的图形。同时在光罩中的特殊设计不但能得到较好的图形形貌，而且还保证了DPW1图形和DPW2相互间的对准以及它们对于前层的对准，并且可以降低工艺难度，得到较好形貌的目标图案。 | ||
| 搜索关键词： | cis 芯片 设计 方法 制作 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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