[发明专利]一种CMOS数字集成电路总剂量效应建模方法及系统在审
| 申请号： | 202110554445.4 | 申请日： | 2021-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN113341761A | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 刘锦辉;梁博;曹烨政;孟菲;刘刚;万波 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | G05B17/02 | 分类号： | G05B17/02 |
| 代理公司： | 西安长和专利代理有限公司 61227 | 代理人： | 黄伟洪 |
| 地址： | 710071 陕西省*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明属于数字器件辐照效应模型的建模技术领域，公开了一种CMOS数字集成电路总剂量效应建模方法及系统，所述CMOS数字集成电路总剂量效应建模方法包括：选择或设计原始器件；获得原始器件的IBIS模型数据；提取输入端口的钳位管特性曲线和输出端口的晶体管特性曲线；根据钳位管特性曲线提取二极管模型参数，根据晶体管特性曲线提取MOS管模型参数；根据模型参数建立CMOS数字IC行为‑物理混合模型，并建立CMOS数字IC时序退化模型；根据总剂量效应造成的器件电特性退化，建立CMOS数字IC输出端口总剂量效应模型。本发明建立的模型既能反映CMOS数字器件的逻辑功能，为在辐照条件下进行系统仿真提供模型支持。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cmos 数字集成电路 剂量 效应 建模 方法 系统 | ||
【主权项】：
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