[发明专利]MOSFET器件的制备方法在审
| 申请号： | 202110554513.7 | 申请日： | 2021-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN113270482A | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 陶永洪;蔡文必;彭志高;郭元旭;李立均 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/16;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京超成律师事务所 11646 | 代理人： | 王雪 |
| 地址： | 361100 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种MOSFET器件的制备方法，涉及半导体技术领域。该制备方法包括：提供宽带隙外延层，宽带隙外延层包括宽带隙衬底和宽带隙衬底上的宽带隙漂移层；在宽带隙漂移层上形成第一掩膜层；在第一掩膜层上形成第三掩膜层，第三掩膜层的厚度大于第一掩膜层的厚度；在第三掩膜层上形成第四掩膜层，得到第一器件结构；刻蚀第一器件结构界定出阱区注入窗口，阱区注入窗口的底部露出第一掩膜层；离子注入形成阱区。本公开的方法能提高器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | mosfet 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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