[发明专利]基于平面衬底的倒装RCLED芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202110555159.X | 申请日： | 2021-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN113299806A | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 伊晓燕;张兴飞;张逸韵;王军喜;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴梦圆 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种基于平面衬底的倒装RCLED芯片及其制备方法，该制备方法包括：在衬底上制备设置有凸台与n‑GaN层的外延结构，并制备透明导电层。在凸台一侧的n‑GaN层上制备第一N电极层以及在透明导电层上制备第一P电极层；制备第一反射镜；刻蚀所述第一反射镜，制备第二N电极层以及第二P电极层，并制备N电极互联区与P电极互联区，形成N电极与P电极；在衬底底部制备第二反射镜，形成所述基于平面衬底的倒装RCLED芯片。第一反射镜与第二反射镜均包括分布式布拉格反射镜，并形成法布里‑珀罗谐振腔，进而实现LED器件光谱变窄和光汇聚。本发明使用蓝宝石等价格低廉的材料作为衬底，提供了一种不需要进行剥离、转移等复杂工艺的制备方法，提高生产效率，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 平面 衬底 倒装 rcled 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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