[发明专利]近红外单光子雪崩二极管探测器及制作方法有效
| 申请号： | 202110555818.X | 申请日： | 2021-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN113314638B | 公开（公告）日： | 2022-07-26 |
| 发明（设计）人： | 魏子琛;赵昊;胡晓峰;严进 | 申请（专利权）人： | 武汉光迹融微科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/107 | 分类号： | H01L31/107;H01L31/18 |
| 代理公司： | 深圳市六加知识产权代理有限公司 44372 | 代理人： | 向彬 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种近红外单光子雪崩二极管探测器：在p型衬底(10)中设有p型埋层(6)和重掺杂n型埋层(2)，利用p型埋层(6)和重掺杂n型埋层(2)之间的PN结来形成深的雪崩区，提高SPAD器件对近红外光子的探测效率。而且雪崩区位置距离器件表面很远，表面缺陷对雪崩区的影响很小，降低了器件的暗计数，提高了器件对光子探测的准确性。该SPAD器件可作为近红外单光子激光雷达的探测器件，应用于智能汽车自动驾驶，人脸识别和三维成像等领域。本发明还提供了近红外单光子雪崩二极管探测器的制作方法。 | ||
| 搜索关键词： | 红外 光子 雪崩 二极管 探测器 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉光迹融微科技有限公司，未经武汉光迹融微科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110555818.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
