[发明专利]一种提高Au-Al键合强度和可靠性的方法有效
申请号: | 202110555962.3 | 申请日: | 2021-05-21 |
公开(公告)号: | CN113299571B | 公开(公告)日: | 2022-03-18 |
发明(设计)人: | 张新宇 | 申请(专利权)人: | 无锡兴华衡辉科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;C23C14/34;C23C14/16 |
代理公司: | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人: | 曹慧萍 |
地址: | 214000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及半导体器件封装技术领域,具体涉及一种提高Au‑Al键合强度和可靠性的方法。本发明通过在Al表面使用离子溅射的方法依次沉积一层Zn和一层Cu,使得键合过程中Au和Al之间形成一层Cu‑Al‑Zn三元化合物薄层,阻止金与铝之间的直接接触和相互扩散,同时Cu‑Al‑Zn三元化合物薄层能够继续阻碍在电流作用下Au和Al之间的相互扩散,从而抑制键合连接部位的金属间化合物的生长,提高Au‑Al键合的强度和可靠性,能够有效解决传统半导体器件Au‑Al键合方法中存在的无法有效抑制金属间化合物生长,导致Au‑Al键合强度和键合可靠性较差,进而影响半导体器件的功能和寿命的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 提高 au al 强度 可靠性 方法 | ||
【主权项】:
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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