[发明专利]一种提高Au-Al键合强度和可靠性的方法有效

专利信息
申请号: 202110555962.3 申请日: 2021-05-21
公开(公告)号: CN113299571B 公开(公告)日: 2022-03-18
发明(设计)人: 张新宇 申请(专利权)人: 无锡兴华衡辉科技有限公司
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;C23C14/34;C23C14/16
代理公司: 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 代理人: 曹慧萍
地址: 214000 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及半导体器件封装技术领域,具体涉及一种提高Au‑Al键合强度和可靠性的方法。本发明通过在Al表面使用离子溅射的方法依次沉积一层Zn和一层Cu,使得键合过程中Au和Al之间形成一层Cu‑Al‑Zn三元化合物薄层,阻止金与铝之间的直接接触和相互扩散,同时Cu‑Al‑Zn三元化合物薄层能够继续阻碍在电流作用下Au和Al之间的相互扩散,从而抑制键合连接部位的金属间化合物的生长,提高Au‑Al键合的强度和可靠性,能够有效解决传统半导体器件Au‑Al键合方法中存在的无法有效抑制金属间化合物生长,导致Au‑Al键合强度和键合可靠性较差,进而影响半导体器件的功能和寿命的问题。
搜索关键词: 一种 提高 au al 强度 可靠性 方法
【主权项】:
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