[发明专利]一种沟槽型肖特基器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202110556185.4 | 申请日： | 2021-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN113299767B | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 夏华忠;诸建周;李健;黄传伟 | 申请（专利权）人： | 江苏东海半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明是沟槽型肖特基器件及其制造方法，结构是元胞结构为六角形，沟槽顶部形貌倾斜，势垒层金属界面垂直方向上低于接触金属层界面。方法：1)外延片上生长氧化层；2)沟槽光刻刻蚀；3)沟槽内生成栅氧；4)沟槽多晶硅填充；5)多晶硅回刻；6)湿法去除氧化层；7)高温热氧化；8)SiN淀积、ILD二氧化硅层淀积；9)肖特基接触孔光刻，湿法二氧化硅去除；10)SiN/热氧化层干法刻蚀；11)肖特基势垒金属溅射；12)势垒金属合金/势垒金属去除；13)HPD淀积；14)接触金属溅射；15)接触金属光刻刻蚀；16)背金减薄。优点：元胞面积利用最大化，与工艺流程匹配度高；势垒金属更好在沟槽内部积累；避免漏电通道。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 型肖特基 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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