[发明专利]一种硅基扇出型封装结构及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202110557585.7 申请日: 2021-05-21
公开(公告)号: CN113257757B 公开(公告)日: 2022-11-04
发明(设计)人: 王玮;杨宇驰;杜建宇 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/498;H01L23/367;H01L23/473
代理公司: 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 代理人: 张晓玲
地址: 100871*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种包括嵌入歧管式微流道的硅基扇出型封装结构,其包括:芯片,包括衬底和位于所述衬底背部的嵌入式微流道;硅基转接板,包括用于填埋所述芯片的凹槽、位于所述凹槽下方并与其连通的歧管通道、入液口和出液口;用于使所述嵌入式微流道和所述歧管通道密封连通的低温密封层,所述低温密封层位于所述芯片和所述硅基转接板之间;以及位于所述芯片顶部的重布线层。本发明还涉及一种包括嵌入歧管式微流道的硅基扇出型封装结构的制备方法。本发明的硅基扇出型封装结构同时具有低温工艺兼容性和封装兼容性并且具有高的散热效率。本发明的嵌入歧管式微流道具有流动距离短、流阻小、热阻小的优势,更适合集成在高功率芯片中进行高效散热。
搜索关键词: 一种 硅基扇出型 封装 结构 及其 制备 方法
【主权项】:
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