[发明专利]一种基于电场调控的磁性异质结构及其制备方法有效
申请号: | 202110558170.1 | 申请日: | 2021-05-21 |
公开(公告)号: | CN113380945B | 公开(公告)日: | 2022-10-14 |
发明(设计)人: | 金立川;徐嘉鹏;徐鑫锴;张怀武;唐晓莉;向全军;钟智勇 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L43/10 | 分类号: | H01L43/10;H01L43/02;H01L43/12 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 吴姗霖 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 一种基于电场调控的磁性异质结构及其制备方法,属于磁电耦合材料及器件制备领域。所述磁性异质结构包括基片,形成于基片之上的底电极层,形成于底电极层之上的异质结,以及形成于异质结之上的顶电极层;所述异质结为磁性薄膜/MXene异质结,所述磁性薄膜与MXene薄膜上下层叠设置。本发明异质结构通过底电极层和顶电极层在垂直方向上施加电压,实现氢离子在磁性薄膜/MXene异质结中的定向移动,并转换成氢原子存储在MXene薄膜中。由于磁性薄膜的磁各向异性对表面吸附氢原子浓度非常敏感,因此可以受到外加电压的调控,而当撤去偏压后氢原子将迅速扩散至大气中,薄膜磁性恢复至原有状态。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 电场 调控 磁性 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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