[发明专利]一种氧化镓背钝化的太阳能电池及其制备方法在审
申请号: | 202110558290.1 | 申请日: | 2021-05-21 |
公开(公告)号: | CN113193056A | 公开(公告)日: | 2021-07-30 |
发明(设计)人: | 方超炎;何悦;任海亮;任勇;陈德爽 | 申请(专利权)人: | 横店集团东磁股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/18 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 巩克栋 |
地址: | 322118 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明提供了一种氧化镓背钝化的太阳能电池及其制备方法,所述的太阳能电池包括P型硅基体,所述P型硅基体相对的两侧表面分别设置有正面镀层和背面镀层,所述的正面镀层包括由P型硅基体表面向外依次层叠的发射极、正面氧化硅层和正面氮化硅层,所述的背面镀层包括由P型硅基体表面向外依次层叠的氧化硅钝化层、氧化镓钝化层和背面钝化层。本发明利用氧化镓的固定负电荷的场钝化效果,加上氧化硅的化学钝化能够进一步减少数载流子复合;在氧化镓钝化层和P型硅基体之间沉积一层氧化硅钝化层,能够有效降低表面态密度,并提升其化学钝化效果。 | ||
搜索关键词: | 一种 氧化 钝化 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的