[发明专利]光伏型碲镉汞红外探测器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202110558754.9 申请日: 2021-05-21
公开(公告)号: CN113299788B 公开(公告)日: 2023-01-03
发明(设计)人: 苗建利;张芳沛;张国亮 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司信息科学研究院
主分类号: H01L31/109 分类号: H01L31/109;H01L31/0216;H01L31/18
代理公司: 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 代理人: 王志红
地址: 100086 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及红外探测技术领域,具体公开了一种光伏型碲镉汞红外探测器及其制备方法,包括:衬底;第一吸收层,形成在所述衬底上;第二吸收层,形成在所述第一吸收层上;光电增益功能层,形成在所述第二吸收层上;钝化层;上电极,覆盖所述上电极窗口;下电极,覆盖所述下电极窗口。本发明器件含有光电增益功能层,通过界面陷阱俘获光生电子,产生库伦场,诱导界面能带弯曲,增强了空穴从外电路的隧穿注入(即界面陷阱诱导的量子隧穿),从而大大提高单位时间内流经器件的电子数,使得器件的光电转换效率(EQE)大于100%,提高了光伏型碲镉汞红外探测器的器件灵敏度。
搜索关键词: 光伏型碲镉汞 红外探测器 及其 制备 方法
【主权项】:
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