[发明专利]一种高耦合分裂电抗器的设计方法及系统在审

专利信息
申请号: 202110559065.X 申请日: 2021-05-21
公开(公告)号: CN113312767A 公开(公告)日: 2021-08-27
发明(设计)人: 袁召;刘俊翔;王勇;伍开建;莫文雄;李光茂 申请(专利权)人: 华中科技大学;广东电网有限责任公司广州供电局
主分类号: G06F30/20 分类号: G06F30/20;G06F17/16;H01F27/29
代理公司: 武汉华之喻知识产权代理有限公司 42267 代理人: 邓彦彦;李欢
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供一种高耦合分裂电抗器的设计方法及系统,包括:根据系统对高耦合分裂电抗器的电气参数和结构参数的要求,确定高耦合分裂电抗器的初始设计参数;修改参数中与高耦合分裂电抗器杂散电容相关的参数,保持其他参数不变,获取多组不同的参数;根据各组高耦合分裂电抗器的参数,建立对应的高耦合分裂电抗器宽频模型;基于各组参数的宽频模型进行电磁暂态仿真,确定各组参数下的恢复电压上升率;获取保证恢复电压上升率处于最低状态的高耦合分裂电抗器的参数取值范围;在参数取值范围内,采用多目标优化法,得到满足系统电气参数和结构参数要求的高耦合分裂电抗器的参数设计结果。本发明可以从设计层次解决系统主断路器恢复电压超标问题。
搜索关键词: 一种 耦合 分裂 电抗 设计 方法 系统
【主权项】:
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