[发明专利]接着层结构以及半导体结构有效
| 申请号： | 202110559863.2 | 申请日： | 2021-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN113299593B | 公开（公告）日： | 2023-01-10 |
| 发明（设计）人： | 罗玉云;黄智楷;吴柏威;杨翔甯 | 申请（专利权）人： | 錼创显示科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L33/48;H01L33/62;H01L25/075;H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 宋兴;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾新竹科学园*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种接着层结构以及半导体结构，半导体结构设置于暂时性载板上，暂时性载板上设置有多个接着层。半导体结构包括接着层结构以及微型发光元件。接着层结构包括修补接着层以及缓冲层。修补接着层设置于暂时性载板上。微型发光元件设置于修补接着层上。缓冲层设置于修补接着层以及微型发光元件之间。修补接着层在暂时性载板的厚度方向上的高度小于这些接着层的高度，且修补接着层的高度以及缓冲层的高度的总和大于或等于这些接着层的高度。 | ||
| 搜索关键词： | 接着 结构 以及 半导体 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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