[发明专利]一种石墨烯改良的硅集成储能薄膜及其制备方法

摘要

本发明公开了一种石墨烯改良的硅集成储能薄膜及其制备方法，石墨烯改良的硅集成储能薄膜包括硅衬底、石墨烯层和储能薄膜层，石墨烯层置于所述硅衬底和储能薄膜层之间；制备方法包括以下过程：采用常规湿法转移方法将铜基石墨烯转移至硅衬底表面，然后在石墨烯表面制备一层或多层储能薄膜层，得到所述石墨烯改良的硅集成储能薄膜。本发明在硅集成储能薄膜中增设石墨烯层，在石墨烯表面进行储能薄膜的范德华外延，并利用石墨烯层阻挡硅元素扩散，以提升储能薄膜的结晶质量；同时利用石墨烯层优良的导热性，增强储能薄膜的散热，有效避免热失控，从而显著提升储能薄膜的储能密度，以便于实现储能薄膜在高温环境下的应用。