[发明专利]一种基于二硫化铼的场效应管及其制造方法在审
| 申请号： | 202110561315.3 | 申请日： | 2021-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN113437144A | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 赵桂娟;黄河源;邢树安;吕秀睿;茆邦耀;刘贵鹏 | 申请（专利权）人： | 兰州大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/24;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 兰州振华专利代理有限责任公司 62102 | 代理人： | 张晋 |
| 地址： | 730000 甘肃*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于二硫化铼的场效应管及其制造方法，包括衬底，所述衬底包括硅衬底和生长在所述硅衬底上的氧化层，所述氧化层上刻蚀有二硫化铼沟道，所述场效应管还包括生长在源漏接触区的漏源电极、覆盖所述二硫化铼沟道的栅氧化层以及位于硅衬底底部的金属引线，所述栅氧化层上生长有栅电极，所述漏源电极包括依次位于所述氧化层之上的Cr电极和Au电极。本发明的场效应管具有较高的开关电流比，且有效降低了器件尺寸缩小带来短沟道效应，同时顶栅和背栅的结构也有助于源漏电流的调控。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 硫化 场效应 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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