[发明专利]一种硅纳米结构的制备方法及激光器在审
| 申请号： | 202110562250.4 | 申请日： | 2021-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN113363150A | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 陈生琼;史丽娜;牛洁斌;李龙杰;尚潇;谢常青 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01S3/06;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周天宇 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供一种硅纳米结构的制备方法及激光器，包括：在衬底上形成具有刻蚀图形的光刻胶层；在光刻胶层上依次蒸镀铬掩膜层、铝掩膜层；剥离光刻胶层；根据铬掩膜层、铝掩膜层的图形，刻蚀衬底，依次去除铝掩膜层、铬掩膜层，得到含纳米狭缝的双硅线结构。本公开的制备方法可制备含纳米狭缝的双硅线结构，制造工艺简单，且当外层涂覆一层含增益材料的薄膜时，此结构的光学特性体现出激光的性能，此结构可用于纳米激光器。本公开还提供了一种含双硅线结构的激光器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 结构 制备 方法 激光器 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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