[发明专利]一种半导体制造方法及其结构在审
| 申请号： | 202110562608.3 | 申请日： | 2021-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN113035778A | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 张晓妍;杨宗凯;曾伟翔;丁笙玹;周志文 | 申请（专利权）人： | 晶芯成（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/02;H01L23/532 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 林凡燕 |
| 地址： | 102199 北京市大兴区经济技术开发*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体制造方法及其结构，所述半导体制造方法包括：提供一基底；形成金属互联层于所述基底上；形成金属层于所述金属互联层上；形成氧化层于金属层上；对所述氧化层和所述基底进行刻蚀，以形成沟槽；形成第一隔离氧化层于所述沟槽上，所述第一隔离氧化层覆盖所述沟槽底部；形成第二隔离氧化层于所述第一隔离氧化层上；形成氮化层于所述第二隔离氧化层上。通过本发明提供的一种半导体制造方法及其结构，提高填洞能力，改善填洞后的形貌，改善钝化层平坦度，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 制造 方法 及其 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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