[发明专利]一种导氧离子陶瓷材料表面Ni薄膜的电化学制备方法在审
| 申请号： | 202110562834.1 | 申请日： | 2021-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN113278925A | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 焦震钧 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学（深圳） |
| 主分类号： | C23C14/18 | 分类号： | C23C14/18;C23C14/35;C23C14/58;C22F1/10 |
| 代理公司： | 深圳市添源知识产权代理事务所(普通合伙) 44451 | 代理人： | 于标 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种导氧离子陶瓷材料表面Ni薄膜的电化学制备方法，其包括如下步骤：制备目标陶瓷材料的单晶基片；在得到的单晶基片的表面制备图案化Ni金属源作为阳极；在单晶基片的背面制备阴极；利用导线将单晶基片两面的电极分别与外部电子负载和控制单元连接；在还原气氛下、温度为700‑900℃条件下对单晶基片两面的电极进行极化放电，得到导氧离子陶瓷材料表面Ni薄膜。采用本发明的技术方案，所制成的Ni金属薄膜与基底完美结合，所形成的Ni金属薄膜具有大晶粒尺度，在高温环境中不会因金属粗化造成脱层。降温后，金属与陶瓷界面依然紧密结合，不会产生由于金属与陶瓷的膨胀系数不匹配而造成的脱层现象，而且制备成本不高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 离子 陶瓷材料 表面 ni 薄膜 电化学 制备 方法 | ||
【主权项】：
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