[发明专利]一种基于超薄盖层的竖槽型石墨烯光调制器结构在审
| 申请号： | 202110562864.2 | 申请日： | 2021-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN113296293A | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 饶岚;忻向军;何晓颖;张琦;杨雷静;田清华;刘人豪;田凤;刘博 | 申请（专利权）人： | 北京邮电大学 |
| 主分类号： | G02F1/01 | 分类号： | G02F1/01 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100876 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开发明了一种基于超薄盖层的竖槽型石墨烯光调制器结构。本发明属于集成光子与硅基光子学领域。该调制器由上往下依次包括超薄盖层、双层石墨烯层、竖槽型光波导、衬底层。其中，竖槽型光波导由硅基波导和狭缝构成。本发明中采用非对称的波导结构设计，将竖槽型光波导厚度减薄的同时引入超薄盖层置于双层石墨烯的上层，可以更好地将光场限制在狭缝上的双层石墨烯层中，有效地提高光场与石墨烯的相互作用，从而提高器件调制效率。超薄盖层为一层硅波导，在制作上只需在双层石墨烯上生长一层硅，而不需要后续的波导结构工艺，因而大大的简化了器件的制作工艺。本发明提出的基于超薄盖层的竖槽型石墨烯光调制器具有调制速率高、结构紧凑、与CMOS兼容工艺简单等优点，可广泛应用于批量化、高速高密度硅基光电子集成系统中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 超薄 盖层 竖槽型 石墨 调制器 结构 | ||
【主权项】：
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