[发明专利]能够改进ESD保护回路回冲特性的SiC MOS器件在审
| 申请号： | 202110563716.2 | 申请日： | 2021-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN113299641A | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 刘莉;常帅军;王梓名;马海伦;钟铭浩;郭建飞 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/06;H01L29/16;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316 | 代理人： | 滑春生 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种能够改进ESD保护回路回冲特性的SiCMOS器件，包括N型的SiC衬底(9)，在该SiC衬底(9)的上面设有N型的SiC外延区(8)，构成外延片，其特征在于，在该SiC外延区(8)的上面设有相互间隔的源极P型区(6)和漏极P型区(7)，在该漏极P型区(7)的上面设有第一nMOSFET(MN1)，在该源极P型区(6)的上面设有第二nMOSFET(MN2)。此种结构器件能够改善高压SiCMOS器件ESD保护回路的回冲特性。 | ||
| 搜索关键词： | 能够 改进 esd 保护 回路 特性 sic mos 器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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