[发明专利]一种双栅π型薄膜晶体管光学感应器的制作方法及光学感应器及电子设备在审

专利信息
申请号: 202110563803.8 申请日: 2021-05-24
公开(公告)号: CN113284915A 公开(公告)日: 2021-08-20
发明(设计)人: 罗志猛;李源;谢雄才 申请(专利权)人: 信利半导体有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京德崇智捷知识产权代理有限公司 11467 代理人: 王欣
地址: 516600 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种双栅π型薄膜晶体管光学感应器的制作方法及光学感应器及电子设备,其中双栅π型薄膜晶体管光学感应器的制作方法包括,提供基板;在基板上形成栅极层和绝缘层,绝缘层至少部分覆盖栅极层;在绝缘层上形成非晶硅层;非晶硅层的两侧通过刻蚀形成斜坡结构,侧面斜坡与基板的夹角为40°~60°;在非晶硅层上形成n型非晶硅层;在n型非晶硅层上形成源/漏极层;在源/漏极层上形成第一钝化层;在第一钝化层上形成光栅层;在光栅层上形成第二钝化层。本发明通过控制非晶硅层两侧的斜坡角度,可以控制源/漏极层的爬坡电阻,提高了光学感应器的电学稳定性。
搜索关键词: 一种 薄膜晶体管 光学 感应器 制作方法 电子设备
【主权项】:
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