[发明专利]三维存储器器件及其制造方法

摘要

提供一种三维存储器器件及一种三维存储器器件的制造方法。所述三维存储器器件包括第一堆叠结构及第二堆叠结构、隔离柱、栅极介电层、沟道层及导电柱。堆叠结构在侧向上彼此间隔开。堆叠结构分别包括交替堆叠的绝缘层与导电层。隔离柱在堆叠结构之间在侧向上延伸。隔离柱进一步突出到堆叠结构中，且堆叠结构之间的空间被划分成单元区。栅极介电层分别形成在单元区中的一者中，且覆盖堆叠结构的相对侧壁及隔离柱的侧壁。沟道层分别覆盖栅极介电层中的一者的内表面。导电柱各别地位于单元区内，且在侧向上被沟道层环绕。