[发明专利]一种测试半导体结构击穿的设备、系统和方法在审
| 申请号： | 202110564858.0 | 申请日： | 2021-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN113514738A | 公开（公告）日： | 2021-10-19 |
| 发明（设计）人： | 王志强 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G01R31/12 | 分类号： | G01R31/12 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 杨丽爽 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种测试半导体结构击穿的设备、系统和方法，该设备包括：第一支路和第二支路，第一支路的阻抗大于第二支路的阻抗，第一支路的第一端用于连接半导体结构的第二端，第一支路的第二端接地，第二支路的第一端用于连接电压源，第二支路的第二端接地，测试半导体结构的击穿时，半导体结构的第一端连接电压源，第二支路断开，第一支路导通以使半导体结构被电压源击穿进行击穿测试，半导体结构被击穿后，第二支路导通，第一支路断开。从而可以在半导体结构被击穿后，减轻对击穿后的半导体结构的进一步损伤，方便研究人员后期对击穿失效位置的第一现场进行物理失效分析。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 测试 半导体 结构 击穿 设备 系统 方法 | ||
【主权项】：
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