[发明专利]一种新型的高压槽栅MOS器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202110566933.7 | 申请日： | 2021-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN113241381A | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 陈利;陈彬;陈译 | 申请（专利权）人： | 厦门芯一代集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/04 |
| 代理公司： | 厦门荔信航知专利代理事务所(特殊普通合伙) 35247 | 代理人： | 马小玲 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市中国(福建)*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种新型的高压槽栅MOS器件及其制备方法，其包括：N型重掺杂衬底，N型轻掺杂缓冲区，P型阱区，P型重掺杂源极区，N型轻掺杂区，P型掺杂区，N型重掺杂源极区，高K绝缘层，栅极多晶硅区；漏极电极设在N型重掺杂衬底下表面，N型重掺杂衬底上有N型轻掺杂缓冲区，N型轻掺杂缓冲区上有P型阱区、N型轻掺杂区和槽栅结构区，N型轻掺杂区和槽栅结构区设在P型阱区之间，N型轻掺杂区上设P型掺杂区，P型掺杂区上设N型重掺杂源极区；另一个P型阱区上设N型重掺杂源极区，在P型阱区上设P型重掺杂源极区；槽栅结构区包括高K绝缘层和栅极多晶硅区，栅极多晶硅区上设栅极电极，P型重掺杂源极区和N型重掺杂源极区上设源极电极。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 高压 mos 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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