[发明专利]金刚石薄膜、电子集成器件及各自对应的制备方法在审
| 申请号： | 202110566969.5 | 申请日： | 2021-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN113363136A | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 盛兴;谢杨 | 申请（专利权）人： | 钱塘科技创新中心;清华大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L33/00;C23C16/01;C23C16/27;C23C16/56 |
| 代理公司： | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人： | 林丽璀 |
| 地址： | 310000 浙江省杭州市经济*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及一种金刚石薄膜、电子集成器件及各自对应的制备方法，金刚石薄膜的制备方法包括：在衬底上形成一金刚石薄膜；在金刚石薄膜上形成一柔性保护层；除去衬底，得到金刚石薄膜且金刚石薄膜附着于柔性保护层。所述的金刚石薄膜可用于制备应用于电化学传感器的电子集成器件及发光电子集成器件。本申请提供了一种高效、简便的方法来制备大规模、独立式的金刚石薄膜，具有高度的鲁棒性，且金刚石薄膜可以与异质器件、柔性基底实现稳定集成，有利于金刚石薄膜在柔性器件中的广泛应用。 | ||
| 搜索关键词： | 金刚石 薄膜 电子 集成 器件 各自 对应 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于钱塘科技创新中心;清华大学，未经钱塘科技创新中心;清华大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110566969.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种抗菌易清洁食品级输送带
- 下一篇：一种锂离子电池阳极的制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
