[发明专利]一种基于SCR的新型凹槽结构ESD防护器件有效

专利信息
申请号: 202110567378.X 申请日: 2021-05-24
公开(公告)号: CN113421925B 公开(公告)日: 2023-07-18
发明(设计)人: 刘静;党跃栋;刘纯 申请(专利权)人: 西安理工大学
主分类号: H01L29/74 分类号: H01L29/74;H01L29/06;H01L27/02
代理公司: 西安弘理专利事务所 61214 代理人: 戴媛
地址: 710048 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了基于SCR的新型凹槽结构ESD防护器件,包括衬底,衬底上形成n阱区和p阱区,n阱区的右侧与p阱区的左侧相连,n阱区上从左至右形成n阱接触n+区、p+区,p阱区上从左至右形成n+区、p阱接触p+区,n阱接触n+区接阳极电位,n+区接阴极电位,p阱接触p+区接阴极电位,p+区接阳极电位,n阱区的左上角形成第一隔离槽,n阱区上且位于n阱接触n+区和p+区之间形成第二隔离槽,n阱区和p阱区之间形成第三隔离槽,p阱区上且位于n+区和p阱接触p+区之间形成第四隔离槽,p阱区的右上角形成第五隔离槽,第三隔离槽中填充有凹槽,凹槽接阳极电位。本发明防护器件具有维持电压高、触发电压低的特点。
搜索关键词: 一种 基于 scr 新型 凹槽 结构 esd 防护 器件
【主权项】:
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