[发明专利]一种氮极性面氮化镓高电子迁移率晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 202110568749.6 | 申请日： | 2021-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN113314597B | 公开（公告）日： | 2023-02-07 |
| 发明（设计）人： | 薛军帅;孙志鹏;吴冠霖;杨雪妍;李祖懋;姚佳佳;张进成;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/20 | 分类号： | H01L29/20;H01L29/778;H01L21/335;H01L23/373 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;李勇军 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮极性面氮化镓高电子迁移率晶体管及其制作方法，主要解决现有氮极性面氮化镓器件材料外延质量低和在高压高功率工作时会产生热积累效应和电流崩塌的问题。其自下而上包括金刚石衬底(1)、势垒层(4)、插入层(5)和沟道层(6)，其中，衬底(1)与势垒层(4)之间设有键合层(2)和支撑层(3)，势沟道层(6)的上部设有绝缘栅介质层(7)，该绝缘栅介质层(7)上设置栅电极，沟道层(6)两侧均为欧姆接触区，其上分别设置源电极和漏电极。本发明器件工作频率高，极大地改善器件自热效应，提高了器件输出功率工作可靠性，且制作工艺简单，一致性高，可用于高频微波功率放大器和单片微波毫米波集成电路。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 极性 氮化 电子 迁移率 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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