[发明专利]基于非对称量子阱结构的UV-LED及其制备方法有效
| 申请号： | 202110569721.4 | 申请日： | 2021-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN113299805B | 公开（公告）日： | 2022-09-23 |
| 发明（设计）人： | 陈敦军;欧阳雨微;张荣;郑有炓 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 江苏斐多律师事务所 32332 | 代理人： | 张佳妮 |
| 地址： | 210046 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于非对称量子阱结构的UV‑LED，其结构自下而上包括：一衬底层；一生长于衬底层上的n‑AlGaN层；一生长于n型AlGaN层上的对称AlGaN量子阱层；一生长于对称AlGaN量子阱层上的非对称AlGaN量子阱层；一生长于非对称AlGaN量子阱层上的p‑AlGaN层；一生长于p‑AlGaN层上的p‑GaN层；p型电极和n型电极。本发明提出了一种基于非对称多量子阱结构的AlGaN基宽光谱紫外LED(UV‑LED)，通过多种不同Al组分和不同厚度的量子阱结构的组合，获得了宽发光光谱，在6V正向电压的偏置下，发光光谱半高宽为17nm，接近传统UV‑LED的两倍。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 对称 量子 结构 uv led 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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