[发明专利]一种微通道板高阻薄膜及其制备方法在审
申请号: | 202110571109.0 | 申请日: | 2021-05-25 |
公开(公告)号: | CN113223917A | 公开(公告)日: | 2021-08-06 |
发明(设计)人: | 张伟;朱香平;韦永林 | 申请(专利权)人: | 东莞市中科原子精密制造科技有限公司 |
主分类号: | H01J43/24 | 分类号: | H01J43/24;H01J9/02;C23C16/30;C23C16/455 |
代理公司: | 北京尚伦律师事务所 11477 | 代理人: | 赵昕 |
地址: | 523003 广东省东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本公开是关于微通道板高阻薄膜及其制备方法,属于光电技术领域,用于解决现有原子层沉积制备微通道板功能层AZO性能不稳定、寿命低等问题。本发明提供微通道板高阻薄膜为通过原子层沉积技术在微通道板本体内壁上沉积指定半导体材料而成的二次电子发射层,以确保所述微通道板进行正常电子倍增功能。本通过本发明提供的方案得到的微通道板高阻薄膜在使用过程中性能稳定,能够增长微通道板的使用寿命。 | ||
搜索关键词: | 一种 通道 板高阻 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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