[发明专利]MEMS差压传感器及其制造方法有效
| 申请号： | 202110572090.1 | 申请日： | 2021-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN113432778B | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 陈磊;朱恩成;张强;闫文明 | 申请（专利权）人： | 歌尔微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G01L13/06 | 分类号： | G01L13/06;G01L19/06;G01L19/00 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 王迎;袁文婷 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市崂*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种MEMS差压传感器及其制造方法，其中MEMS差压传感器包括具有腔体的基底层、架设在基底层的腔体之上的压力敏感膜，以及设置在压力敏感膜远离基底层一侧的保护壳；其中，在静止状态下，压力敏感膜与腔体的底部之间以及与保护壳之间的垂直距离均小于压力敏感膜的最小过载形变量；腔体的底部和保护壳分别形成对压力敏感膜的两侧进行限位的限位结构。利用上述发明能够实现MEMS差压传感器的双向抗高过载，且性能稳定、尺寸小。 | ||
| 搜索关键词： | mems 传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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