[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202110572228.8 | 申请日： | 2021-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN113363326A | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 王志庆;何炯煦;谢文兴;程冠伦;吴志强 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本文公开了多栅极器件及其制造方法。示范性器件包括沟道层、第一源极/漏极部件、第二源极/漏极部件和金属栅极。沟道层具有第一水平段、第二水平段和连接第一水平段和第二水平段的垂直段。第一水平段和第二水平段沿着第一方向延伸，并且垂直段沿着第二方向延伸。垂直段具有沿着第一方向的宽度和沿着第二方向的厚度，并且厚度大于宽度。沟道层沿着第三方向在第一源极/漏极部件和第二源极/漏极部件之间延伸。金属栅极包裹沟道层。在一些实施例中，第一水平段和第二水平段是纳米片。本发明的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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