[发明专利]具有低单元泄露的高密度存储器器件及其形成方法

摘要

一种存储器器件包括：轨条结构的第一阵列，沿第一水平方向延伸，其中轨条结构中的每一者被形成为作为底部电极；以及轨条结构的第二阵列，在侧向上沿第二水平方向延伸且在侧向上沿第一水平方向间隔开。第二阵列中的轨条结构中的每一者被形成为作为顶部电极。存储器器件还包括：连续的介电存储层，位于轨条结构的第一阵列与轨条结构的第二阵列之间。所述连续的介电存储层提供对第一阵列的轨条结构与第二阵列的轨条结构之间的电流泄漏的保护。