[发明专利]存储器装置和其形成方法

摘要

本发明实施例是有关于一种存储器装置和其形成方法。一种3D存储阵列包括一行的多个堆叠，每个堆叠具有交替的多个栅极条和多个介电条。多个介电插塞设置在堆叠之间并界定多个单元区域。数据存储膜和沟道膜在单元区域的侧面上邻近堆叠设置。单元区域的中间区域填充有单元内介电质。多个源极线和多个漏极线形成穿过单元内介电质的多个通孔。源极线和漏极线各自设置有朝向单元区域内部的凸起部。凸起部增加源极线和漏极线的面积，而不减小沟道长度。在本揭露内容中的一些教示内容中，通过将数据存储膜或沟道层限制在与堆叠相邻的单元区域的侧面来增加源极线和漏极线的面积。