[发明专利]一种抑制区熔级多晶硅CVD过程中硅枝晶生长的界面浸润性调控方法在审
| 申请号： | 202110573715.6 | 申请日： | 2021-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN113387360A | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 梁正;孟国均;李建设;吕永峰;郭蕊;钱光凝;仪得志;陈源茂;刘纪江;丁远清 | 申请（专利权）人： | 河南硅烷科技发展股份有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/035 | 分类号： | C01B33/035 |
| 代理公司： | 上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 | 代理人： | 郑立 |
| 地址： | 461700 河南省*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种抑制区熔级多晶硅CVD过程中硅枝晶生长的界面浸润性调控方法，涉及区熔级多晶硅领域，包括U型硅芯表面除去表面杂质；置于热裂解炉反应器内部，用氮气置换空气；用氢气置换氮气；持续通入氢气，对反应器内硅芯加载电流，使硅芯表面氧化层还原，调控其浸润性并构筑“超亲硅”表面；调节电流控制硅芯达到反应温度，通入高纯硅烷和高纯氢气的混合气，硅烷在硅芯表面高温裂解，产物硅在“超亲硅”硅芯表面均匀成核、“层状生长”，最终得到致密的多晶硅棒。本发明通过表界面调控，降低成核势垒，可有效抑制硅沉积过程中的“岛状生长”与硅枝晶问题，从而获得满足区熔级多晶硅力学性能的产品，设计合理，操作方便，实用性强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 抑制 区熔级 多晶 cvd 过程 中硅枝晶 生长 界面 浸润 调控 方法 | ||
【主权项】：
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