[发明专利]一种陶瓷衬底钛及钛化合物结合层结构的蚀刻方法在审
| 申请号： | 202110574536.4 | 申请日： | 2021-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN113265659A | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 朱德权;徐荣军;黄世东;季玮;王海龙 | 申请（专利权）人： | 绍兴德汇半导体材料有限公司;浙江德汇电子陶瓷有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/02 | 分类号： | C23F1/02;C23F1/38 |
| 代理公司： | 嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙) 33253 | 代理人： | 廖银洪 |
| 地址： | 312000 浙江省绍兴市越城区*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明属于高功率半导体技术领域，尤其为一种陶瓷衬底钛及钛化合物结合层结构的蚀刻方法，包括陶瓷基体、结合层、焊料层和铜泊，所述结合层、焊料层和铜泊由内到外依次贴合在陶瓷基体的表面形成覆铜陶瓷板，所述覆铜陶瓷板经铜蚀刻、焊料蚀刻后，置于蚀刻液反应形成所需图形，蚀刻液包含水溶液过氧化氢、氨水；结构中含有羧基及其盐类化合物一种或多种、咪唑类以及有机胺一种或多种。本发明通过制备液上述的特殊组成成分，可以将覆铜陶瓷板经铜蚀刻、焊料蚀刻后置于制备液反应，能够去除该陶瓷衬底上的钛系金属、钛化合物，同时制备液中不含磷，可以有效提高该覆铜陶瓷板的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 陶瓷 衬底 化合物 结合 结构 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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