[发明专利]一种多能量耦合等离子体化学气相沉积法制备金刚石的方法有效
申请号: | 202110574739.3 | 申请日: | 2021-05-26 |
公开(公告)号: | CN113025990B | 公开(公告)日: | 2021-08-27 |
发明(设计)人: | 王涛;魏远征;张雪梅;王箫;徐念;胡常青;赵建海 | 申请(专利权)人: | 上海铂世光半导体科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/27 | 分类号: | C23C16/27;C23C16/517;C23C16/52 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 汪青;周敏 |
地址: | 200000 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: |
本发明公开了一种多能量耦合等离子体化学气相沉积法制备金刚石的方法,所述等离子体化学气相沉积法采用热丝、脉冲偏压电源和旋转磁场耦合作为复合能量源,热丝用于激发含碳气体产生初级等离子体,脉冲偏压用于对热丝产生的初级等离子体施加电场,使初级等离子体在电场的耦合作用下拉伸并形成覆盖区域更广的二级等离子体,旋转磁场作用于金刚石沉积基片的表面区域,将所述二级等离子体中的粒子能量进一步均化耦合,并提高等离子体中能够形成SP |
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搜索关键词: | 一种 多能 耦合 等离子体 化学 沉积 法制 金刚石 方法 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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