[发明专利]一种具有超晶格纳米线结构GaN光电阴极的制备方法在审
| 申请号： | 202110575267.3 | 申请日： | 2021-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN113451088A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 王晓晖;张翔;王振营;班启沛;张世博 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01J1/34 | 分类号： | H01J1/34;H01J9/12;H01J40/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有超晶格纳米线结构GaN光电阴极的制备方法。该制备方法包括：对衬底的选用、生长在衬底上的缓冲层的厚度设计与生长、超晶格纳米线结构GaN电子发射层的设计与生长、以及位于电子发射层上激活层的制备。对于超晶格结构，本发明采用AlGaN/GaN超晶格，AlGaN与GaN材料以几十个纳米的薄层交替生长并保持严格周期性形成多层膜结构，即形成了AlGaN/GaN超晶格。完成超晶格GaN电子发射层的生长后，本发明采用反应离子刻蚀和等离子耦合刻蚀的方法来制备超晶格GaN纳米线结构。该具有超晶格纳米线结构的GaN光电阴极能够克服传统薄膜光电阴极在光子吸收和电子运输方面的不足，大大增加电子发射层对光子的吸收率，减少缓冲层对入射光能量的吸收，从而大大提高光电子的发射性能以及光电阴极的响应波段，最终提高GaN光电阴极的光电发射量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 晶格 纳米 结构 gan 光电 阴极 制备 方法 | ||
【主权项】：
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