[发明专利]一种三维相变存储器的读写电路有效
| 申请号： | 202110575670.6 | 申请日： | 2021-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN113345491B | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 王兴晟;阳帆;周凌珺;王成旭;缪向水 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56;G11C16/10;G11C16/30 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 王颖翀 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种三维相变存储器的读写电路，属于微电子技术领域，包括互相连接的操作控制电路和读写操作点开，操作控制电路用于将正确操作脉冲加载到读写操作电路上；读写操作电路中读写单元中与存储单元连接，用于将正确操作脉冲加载到三维相变存储器对应的存储单元上，将正确操作脉冲镜像为镜像电流；带隙基准源与迟滞比较器与镜像电流支路连接，用于当镜像电流经参考电阻得到的电压大于带隙基准源内的参考电压时，迟滞比较器输出为高电平，反之为低电平；反馈斩波电路回路跨接在存储单元与镜像电流支路之间，用于实时监测流经存储单元的电流，当电流过大时进行降压控制，使其温度不能短时间积聚，从而防止热击穿、set操作不成功和热串扰。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 相变 存储器 读写 电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学，未经华中科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110575670.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
