[发明专利]超结晶体管器件和用于形成超结晶体管器件的方法在审
| 申请号： | 202110575838.3 | 申请日： | 2021-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN113745115A | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | H·韦伯;I·穆里;D·图图克 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘瑜 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种用于形成超结晶体管的漂移区域和超结晶体管器件的方法。该方法包括：在半导体主体中形成第一掺杂类型的多个第一区域和第二掺杂类型的多个第二区域，从而在半导体主体中交替布置第一区域和第二区域，其中，形成第一区域和第二区域包括：在至少一个半导体层中形成多个沟槽；将第一类型掺杂剂原子和第二类型掺杂剂原子注入到多个沟槽的相对侧壁中的每个中；用半导体材料填充多个沟槽；以及在热工艺中扩散第一类型掺杂剂原子和第二类型掺杂剂原子，使得第一类型掺杂剂原子形成第一区域，并且第二类型掺杂剂原子形成第二区域。多个沟槽中的每个具有第一宽度，沟槽被台面区域间隔开，台面区域均具有第二宽度，并且第一宽度大于第二宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 结晶体 器件 用于 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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