[发明专利]发光元件及发光元件的制造方法在审
| 申请号： | 202110576203.5 | 申请日： | 2021-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN113745377A | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 近藤宏树 | 申请（专利权）人： | 日亚化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 沈雪 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供具有多量子阱结构、且以高发光输出功率发出紫外光的发光元件及该发光元件的制造方法。所述发光元件具有：n侧氮化物半导体层、设置在n侧氮化物半导体层上且具备由氮化物半导体形成的多个阱层和由氮化物半导体形成的多个势垒层的发出紫外光的活性层、设置在活性层上的p侧氮化物半导体层，其中，所述多个势垒层中至少1个势垒层从n侧氮化物半导体层侧起依次具有第1势垒层和第2势垒层，所述第1势垒层包含Al及Ga，所述第2势垒层与所述第1势垒层相接设置，包含Al、Ga及In，且带隙能量比第1势垒层小，所述多个阱层中至少1个阱层与第2势垒层相接设置，且具有比第2势垒层小的带隙能量。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日亚化学工业株式会社，未经日亚化学工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110576203.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：低温储存系统
- 下一篇：人工智能计算半导体器件和包含该器件的存储器件
