[发明专利]一种通过磁场调控微纳米平板近场辐射传热的方法及装置在审
| 申请号： | 202110577285.5 | 申请日： | 2021-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN113371671A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 何赛灵;陈肇扬;史可樟 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 林松海 |
| 地址： | 510631 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种通过磁场调控微纳米平板近场辐射传热的方法及装置。所述的方法，在两个微纳米平板的相对一面分别铺上一层石墨烯，用于增加磁场对近场辐射传热调控的范围，通过调节两个微纳米平板之间的热磁阻或间隙，来调控微纳米平板近场辐射传热。所述的装置，具有两个相同的掺杂浓度InSb微纳米平板，厚度为0.5mm，相对的一面分别铺有一层石墨烯，相距为10‑300nm。本发明通过外加磁场来调控近场热辐射，高效、温度无关和非接触，实现了微纳米结构间近场辐射传热非接触式主动调控，对于微电子器件或者热光伏器件等具有应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通过 磁场 调控 纳米 平板 近场 辐射 传热 方法 装置 | ||
【主权项】：
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