[发明专利]低饱和电流的横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管在审
| 申请号： | 202110577494.X | 申请日： | 2021-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN113314591A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 张龙;刘新宇;祝靖;孙伟锋;时龙兴 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 冯慧 |
| 地址： | 211189 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种低饱和电流的横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，包括P型衬底，在P型衬底上设有N型漂移区，在N型漂移区内设有P型体区和漏极N型重掺杂区,P型体区内设有源极P型重掺杂区和源极N型重掺杂区，源极P型重掺杂区和源极N型重掺杂区经源极金属引出共同构成器件的源极，漏极N型重掺杂区经漏极金属引出构成器件的漏极，在N型漂移区上方设有场氧，在场氧内设有多晶硅栅极和多晶硅场板，其特征在于，在N型漂移区还设有P‑top埋层，P‑top埋层通过源极金属连接到器件的源极，所述多晶硅场板起始于P‑top埋层上方并延伸至N型漂移区的上方。 | ||
| 搜索关键词： | 饱和 电流 横向 扩散 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东南大学，未经东南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110577494.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
