[发明专利]一种存储器的纠错方法及装置在审

专利信息
申请号: 202110577581.5 申请日: 2021-05-26
公开(公告)号: CN113157486A 公开(公告)日: 2021-07-23
发明(设计)人: 王颀;杨柳;何菁;李前辉;于晓磊;霍宗亮;叶甜春 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: G06F11/10 分类号: G06F11/10
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 柳虹
地址: 100029 北京市朝阳*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 本申请提供了一种存储器的纠错方法及装置,当测到存储块的存储时长大于或等于第一预设时长时,或,存储块中的数据的误码率大于或等于第一预设阈值时,将存储块作为目标存储块,将热数据对应的热数据存储页标为无效,以使热数据存储页不再被访问,热数据为读取频率大于或等于第一预设频率的数据,热数据存储页为存储热数据的存储页。由于读取频率高的热数据产生的读干扰使目标存储块的阈值电压变大,可减轻由于数据保持错误导致的目标存储块的阈值电压变小,即减轻数据保持错误;同时由于热数据存储页被标为无效不被访问,可减轻热数据读取频率高而使热数据存储页的阈值电压变大带来的读干扰,即可同时减轻存储器的数据保持错误和数据读干扰错误。
搜索关键词: 一种 存储器 纠错 方法 装置
【主权项】:
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