[发明专利]半导体器件终端结构、制造方法及半导体器件有效
| 申请号： | 202110577656.X | 申请日： | 2021-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN113206146B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 李强;刘维;张海宇;杨彦刚;左义忠;姜明宝 | 申请（专利权）人： | 吉林华微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40 |
| 代理公司： | 成都极刻智慧知识产权代理事务所(普通合伙) 51310 | 代理人： | 陈万艺 |
| 地址： | 132000 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例提供一种半导体器件终端结构、制造方法及半导体器件，半导体器件终端结构包括：屏蔽栅沟槽，屏蔽栅沟槽内侧覆盖有第一绝缘氧化物层并设置有第一多晶硅；隔离沟槽，隔离沟槽中设置有第二绝缘氧化物层，隔离沟槽中的第一绝缘氧化物层与屏蔽栅沟槽中的第二绝缘氧化物层连通。通过在终端处相邻两个屏蔽栅沟槽之间设置填充有绝缘氧化材料的隔离沟槽，隔离沟槽将屏蔽栅沟槽界定出的外延层区隔离开，可以使靠近隔离沟槽的有源区内的外延层区和有源区深处的外延层区具有基本相同的电场分布，从而有效提高终端结构的最高耐压，并降低了芯片制造的工艺难度，可以提升芯片制造的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 终端 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于吉林华微电子股份有限公司，未经吉林华微电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110577656.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
