[发明专利]一种基于红光AlInGaAs量子点的Micro-LED结构及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202110577770.2 申请日: 2021-05-26
公开(公告)号: CN113471341A 公开(公告)日: 2021-10-01
发明(设计)人: 黄凯;江莹;李金钗;高娜;王丽兰;康俊勇;张荣 申请(专利权)人: 厦门大学
主分类号: H01L33/06 分类号: H01L33/06;H01L33/30;H01L33/00
代理公司: 厦门加减专利代理事务所(普通合伙) 35234 代理人: 李强;杨泽奇
地址: 361005 福建*** 国省代码: 福建;35
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明涉及半导体光电子器件技术领域,特别涉及一种基于红光A l I nGaAs量子点的Mi cro‑LED结构及其制备方法。所述Mi cro‑LED结构自下而上依次包括衬底、n型层、多量子阱有源层以及p型层;所述多量子阱有源层包括势阱层;所述势阱层包括A l I nGaAs量子点层。其能够降低侧壁及其边缘处的非辐射复合,有效提高低电流密度下的发光效率;且其发光波长可实现在红光波长范围的调控;且其结构简单,制备工艺简便,易于生产应用。
搜索关键词: 一种 基于 红光 alingaas 量子 micro led 结构 及其 制备 方法
【主权项】:
暂无信息
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