[发明专利]硅基谐振式传感器温度稳定性提升方法、系统、设备及存储介质有效

专利信息
申请号: 202110578205.8 申请日: 2021-05-26
公开(公告)号: CN113343520B 公开(公告)日: 2022-05-13
发明(设计)人: 崔健;赵前程;刘梦霞 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: G06F30/23 分类号: G06F30/23;G06F119/08
代理公司: 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 代理人: 苟冬梅
地址: 100871*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 本申请实施例提供一种硅基谐振式传感器温度稳定性提升方法、系统、设备及存储介质,涉及微机电传感器技术领域,采用本申请提供的硅基谐振式传感器温度稳定性提升方法,按照晶向角优化步长增加谐振式传感器的晶向角进行搜索,对于每一次搜索,在多个测试温度下对所述谐振式传感器进行模态仿真,获取在该晶向角下的谐振频率温度变化量,搜索完成后汇总谐振频率温度变化量找到最优晶向角。本申请可以高效、便捷地确定使硅谐振式传感器频率温度漂移最小的加工晶向,提升传感器的温度稳定性。
搜索关键词: 谐振 传感器 温度 稳定性 提升 方法 系统 设备 存储 介质
【主权项】:
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