[发明专利]一种原子级离子清洁活化低温键合装置及方法在审
申请号: | 202110579209.8 | 申请日: | 2021-05-26 |
公开(公告)号: | CN113380639A | 公开(公告)日: | 2021-09-10 |
发明(设计)人: | 张景文;时明月;刘静楠;王燕;张恒清;侯洵 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/02;H01L21/324;B08B7/00 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 朱海临 |
地址: | 710049 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种原子级离子清洁活化低温键合装置及方法,通过在键合真空腔内设置射频电极和气源,采用移动承载台,在移动承载台上设置有键合承载台,键合承载台上设置有两个对称设置的样品承载台,样品承载台与键合承载台通过移动转台连接,移动转台能够在键合承载台上滑动,样品承载台与移动转台转动连接,样品承载台上端用于固定预键合晶圆,键合真空腔能够在键合真空腔和退火真空腔之间移动,形成相对固定的能够在独立空间内进行低温处理和退火处理的空间,能够实现在低温环境下进行,退火真空腔内的退火加热装置气体沉积原子层来避免不易键合界面的晶格失配,最后经过热退火处理装置对晶圆进行热退火,从而获得高质量的键合界面和键合强度。 | ||
搜索关键词: | 一种 原子 离子 清洁 活化 低温 装置 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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