[发明专利]一种皮秒碳化硅漂移阶跃恢复二极管在审
| 申请号： | 202110579210.0 | 申请日： | 2021-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN113380874A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 张景文;刘静楠;时明月;王燕;张恒清;侯洵 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/16;H01L29/861 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 朱海临 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种皮秒碳化硅漂移阶跃恢复二极管，包括原胞结构，原胞结构自下而上依次包括N型欧姆接触电极、N型掺杂阴极区、N型掺杂Buffer层、P型基区、P型掺杂区、P型掺杂阳极区和P型欧姆接触电极，P型基区掺杂浓度为1*10 |
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| 搜索关键词： | 种皮 碳化硅 漂移 阶跃恢复二极管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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