[发明专利]一种二硫化钼/二硫化钨红外双色探测器及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202110580063.9 申请日: 2021-05-26
公开(公告)号: CN113299779A 公开(公告)日: 2021-08-24
发明(设计)人: 王东博;刘东昊;张冰珂;胡云飞;王金忠;矫淑杰 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: H01L31/032 分类号: H01L31/032;H01L31/102;H01L31/18
代理公司: 哈尔滨龙科专利代理有限公司 23206 代理人: 李智慧
地址: 150001 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 发明公开了一种二硫化钼/二硫化钨红外双色探测器及其制备方法,所述探测器包括蓝宝石衬底、MoS2层、WS2层和金电极,蓝宝石衬底上生长MoS2层,MoS2层上生长WS2层,金电极设置在MoS2层和WS2层上,具体制备方法如下:一、利用磁控溅射技术在蓝宝石衬底上生长MoS2层;二、利用CVD技术在MoS2层上生长WS2层;三、利用磁控溅射技术在MoS2层和WS2层表面蒸镀金电极。本发明利用WS2层与MoS2层构成超晶格,通过调节厚度,在超晶格中形成多个子带能级,能级带隙满足中波双色红外探测要求,当入射光子大于等于超晶格的自带能级时,光生载流子可以在子带间跃迁,超晶格的电导率增加,实现红外双波段探测。
搜索关键词: 一种 二硫化钼 硫化 红外 探测器 及其 制备 方法
【主权项】:
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